從8英寸PVT設(shè)備批量交付到12英寸電阻法長(zhǎng)晶系統(tǒng)商業(yè)化落地——第三代半導(dǎo)體裝備國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程提速
2025-04-30
碳化硅（SiC）作為第三代半導(dǎo)體的核心材料，憑借其高耐壓、耐高溫、高熱導(dǎo)等特性，在新能源汽車、光伏發(fā)電、軌道交通等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。而碳化硅單晶襯底的制備，離不開核心裝備——物理氣相輸運(yùn)（PVT）長(zhǎng)晶爐的技術(shù)突破。近年來，國(guó)內(nèi)企業(yè)在碳化硅長(zhǎng)晶設(shè)備領(lǐng)域持續(xù)發(fā)力，逐步打破國(guó)外壟斷，其中山東力冠微電子裝備有限公司憑借其領(lǐng)先的PVT技術(shù)實(shí)力和產(chǎn)業(yè)化布局，成為推動(dòng)國(guó)產(chǎn)替代的中堅(jiān)力量。
技術(shù)突破
8英寸PVT設(shè)備批量出貨，性能比肩國(guó)際水準(zhǔn)
山東力冠微電子裝備有限公司自主研發(fā)的8英寸PVT碳化硅長(zhǎng)晶爐已實(shí)現(xiàn)批量銷售，涵蓋感應(yīng)加熱與電阻加熱兩種技術(shù)路線，可靈活適配導(dǎo)電型與半絕緣型碳化硅晶體的生長(zhǎng)需求。該設(shè)備通過創(chuàng)新熱場(chǎng)設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了徑向溫度均勻性與軸向溫度梯度的精準(zhǔn)調(diào)控，熱場(chǎng)穩(wěn)定性較傳統(tǒng)方案提升30%以上，顯著提高了晶體的良率與一致性，達(dá)到國(guó)際主流水平。同時(shí)，設(shè)備搭載的自動(dòng)化控制系統(tǒng)可實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)并優(yōu)化長(zhǎng)晶參數(shù)，減少人工干預(yù)，降低生產(chǎn)成本，目前已成功導(dǎo)入國(guó)內(nèi)外頭部客戶產(chǎn)線。
12英寸PVT電阻法長(zhǎng)晶系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)商業(yè)化突破
隨著12英寸電阻法長(zhǎng)晶系統(tǒng)商業(yè)化突破，公司計(jì)劃2025年實(shí)現(xiàn)12英寸設(shè)備批量供貨，助力國(guó)產(chǎn)碳化硅材料進(jìn)入全球供應(yīng)鏈第一梯隊(duì)。
行業(yè)展望
國(guó)產(chǎn)化浪潮下的增長(zhǎng)機(jī)遇
隨著新能源汽車、光儲(chǔ)充一體化等下游需求爆發(fā)，全球碳化硅襯底市場(chǎng)持續(xù)擴(kuò)大。根據(jù)國(guó)際知名機(jī)構(gòu)Yole的預(yù)測(cè)，預(yù)計(jì)到2027年全球碳化硅功率器件市場(chǎng)規(guī)模為將增長(zhǎng)至62.97億美元，年復(fù)合增長(zhǎng)率（CAGR）達(dá)34%。
山東力冠微電子裝備有限公司憑借其技術(shù)積淀與快速響應(yīng)能力，已與一批龍頭企業(yè)達(dá)成深度合作，并逐步開拓海外市場(chǎng)。
未來，山東力冠微電子裝備將以大尺寸、高性價(jià)比的設(shè)備為核心競(jìng)爭(zhēng)力，持續(xù)以創(chuàng)新技術(shù)賦能碳化硅材料行業(yè)升級(jí)，通過技術(shù)突破提升產(chǎn)業(yè)效率、促進(jìn)全球供應(yīng)鏈多元化，為半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的技術(shù)迭代與應(yīng)用拓展貢獻(xiàn)中國(guó)智慧。
從8英寸批量交付到12英寸產(chǎn)業(yè)化突破，山東力冠微電子裝備有限公司的成長(zhǎng)軌跡生動(dòng)詮釋了中國(guó)第三代半導(dǎo)體裝備的崛起之路。在政策支持與市場(chǎng)需求的雙重驅(qū)動(dòng)下，以山東力冠微電子裝備為代表的國(guó)產(chǎn)設(shè)備商正加速技術(shù)迭代，通過構(gòu)建自主可控技術(shù)體系，不僅重塑了全球碳化硅設(shè)備產(chǎn)業(yè)格局，更在高端半導(dǎo)體裝備領(lǐng)域標(biāo)注出"中國(guó)智造"的新坐標(biāo)。
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2025-04-30