產(chǎn)品分類
MPCVD設(shè)備
所屬分類：
第四代半導(dǎo)體工藝設(shè)備
概要：
? 微波等離子化學(xué)氣相沉積技術(shù)(MPCVD) , 通過(guò)等離子增加前驅(qū)體的反應(yīng)速率,降低反應(yīng)溫度。適合制備面積大、均勻性好、純度高、結(jié)晶形態(tài)好的高質(zhì)量的金剛石單晶和多晶薄膜
關(guān)鍵詞：
MPCVD
MPCVD設(shè)備
產(chǎn)品概述/Product Introduction：
♦ 本設(shè)備主要是用于制備單晶金剛石。可激發(fā)高穩(wěn)定度的等離子團(tuán)，從而確保單晶生長(zhǎng)的持續(xù)性，為合成大尺寸單晶金剛石提供有力保證。
The equipment is mainly used forthe preparation of single crystal diamond.It can excite the plasma cluster with high stability, thus ensuring the continuity of single crystal growth and providing a strong guarantee for the synthesis of large-size single crystal diamond.
提供10*10（mm）驗(yàn)證工藝
Provide 10 * 10 (mm) validation process.
產(chǎn)品特點(diǎn)/Product characteristics
制程溫度范圍:300-1500℃
Temperature process range: 300-1500°C
氣路系統(tǒng):6路
Gas path system: 6 channels
6路 微波功率:6-12Kw連續(xù)可調(diào)
Microwave power: 6-12Kw continuously adjustable
波紋:≤1%
Ripple:≤1%
微波泄露值:＜5Mw/cm2
Microwaveleakagevalue:<5Mw/cm²
沉積區(qū)域:≥100mm
Deposition area:≥100 mm
極限真空:≤10Pa
Limit vacuum:≤10Pa
壓力范圍:5-300Torr
Pressure range: 5-300 Torr
功率穩(wěn)定性:＜2%
Power stability:<2%
微波頻率:2.45GHz土50MHz
Microwave frequency:2.45GHz ± 50MHz
放電區(qū)域:≥100mm Discharge area:≥100mm
生長(zhǎng)速率:>10um Growth rate:>10um
上一個(gè)
上一個(gè)
氮化鎵（GaN）HVPE單晶生長(zhǎng)設(shè)備 臥式
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