SiC高溫氧化設備

所屬分類：

第一代半導體工藝設備

概要：

? 專門用于硅碳化合物(SiC) 的氧化處理，可實現SiC片在高溫真空環境下完成高溫氧化工藝。氧化工藝使用濕法氧化氣體或N2O、NO、NO2,是最安全的毒性氣體氧化爐 ? 設備適用于SiC基功率器件制造中的高溫氧化工藝環節 ? 加熱腔與工藝腔獨立密閉設計，提供工藝腔的潔凈度

關鍵詞：

SiC高溫氧化

SiC高溫氧化設備

產品概述/Product Introduction：

♦ 專門用于硅碳化合物(SiC) 的氧化處理，可實現SiC片在高溫真空環境下完成高溫氧化工藝。氧化工藝使用濕法氧化氣體或N?O、NO、NO?,是最安全的毒性氣體氧化爐

Specially used for oxidation treatment of silicon-carbon compounds (SiC), which can realize the high-temperature oxidation process of SiC sheets in high-temperature vacuum environment. The oxidation process uses wet oxidation gas or N?O, NO and NO?, which is the safest oxidizing furnace for toxic gas.

♦ 設備適用于SiC基功率器件制造中的高溫氧化工藝環節

The equipment is suitable for the high temperature oxidation process in the manufacture of SiC-based power devices

♦ 加熱腔與工藝腔獨立密閉設計，提供工藝腔的潔凈度

The heating chamber and the process chamber are designed independently and sealed to provide the cleanliness of the process chamber

產品特點/Product Characteristics：

♦ 采用立式結構、工藝控制好、溫度分布均勻、氣流穩定

The vertical structure is adopted, the process is well controlled, the temperature distribution is uniform, and the airflow is stable

♦ Robot自動傳送(可選)

Robot Auto Transfer (Optional)

♦ 多點控溫，溫度均勻

Multi-point temperature control, uniform temperature

♦ 具有多種報警功能及安全保護功能