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半導體集成電路制造的重要設備之一，主要用于POLY, D-POLY, SiN,LP-TEOS；立式LPCVD采用鐘罩式結構，設計嵌套腔體機械手傳片組件、舟旋轉組件，具有占地面積小、成膜均勻性高、工藝穩(wěn)定性高等優(yōu)點。
LPCVD設備是半導體集成電路制造的重要設備之一，主要用于POLY, D-POLY, SiN,LP-TEOS。
專門用于碳化硅（SiC）氮化鎵（GaN）器件的離子注入后退火工藝，采用特殊的無金屬加熱設計使加工溫度提高到2000℃。 適用工藝：SiC和GaN晶圓的退火
專用于SiC晶圓的高溫氧化工藝，可實現(xiàn)晶圓片高溫真空環(huán)境下完成氧化工藝。可使用O2,N2O，NO，NO2或濕法氧化，采用無金屬加熱和真空裝備。 適用工藝：氧化
該設備是半導體生產線前工序的重要工藝設備之一，用于大規(guī)模集成電路、 分立器件、電力電子、光電器件等行業(yè)的氧化、擴散、退火、合金等工藝。 氧化工藝：主要用于初始氧化層、柵氧化層、場氧化層等多種氧化介質層的制備工藝。
該設備是半導體生產線前工序的重要工藝設備之一，用于大規(guī)模集成電路、 分立器件、電力電子、光電器件等行業(yè)的磷/硼擴散、氧化、退火、合金和燒結等工藝 ； 主要用于初始氧化層、柵氧化層、場氧化層等多種氧化介質層的制備工藝。
本設備主要是用于制備單晶金剛石。可激發(fā)高穩(wěn)定度的等離子團，從而確保單晶生長的持續(xù)性，為合成大尺寸單晶金剛石提供有力保證。
本設備主要用于氧化鎵（Ga2O3）單晶生長（無銥法），將原料放在垂直的坩堝內， 然后從坩堝尖端開始通過預設好的溫度梯度區(qū)作定向凝固。通過緩慢降溫而生長出單晶。
本設備主要用于氧化鎵（Ga2O3）、氮化鋁（AIN）等外延生長。